Transístor de bismuto supera limite de Boltzmann e abre caminho para chips de IA
Um transístor de tunelamento quântico feito com camadas bidimensionais de bismuto e seleneto de índio superou o limite físico de Boltzmann ao operar com tensão de porta de 160 milivolts.
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O dispositivo, desenvolvido por uma equipe internacional liderada pela Universidade Politécnica de Hong Kong, consome uma fração da energia exigida pelos semicondutores convencionais em temperatura […]
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